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DMN3026LVT-7

制造商：Diodes

描述：MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

Datasheet：

在線詢價
  • Digikey
    Digikey
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 配置
    Single
  • 通道數(shù)量
    1
  • 連續(xù)漏極電流
    6.6 A
  • 輸入偏置電容@15V
    643 pF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    22 mΩ
  • 漏源電壓
    30 V
  • 漏源極擊穿電壓
    30 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@6.5A,10V
    23 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    23 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    2 V
  • 柵極電荷@10V
    12.5 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    2.2 ns
  • 功率耗散
    1.2 W
  • 關(guān)閉延遲時間
    12.1 ns
  • 下降時間
    3 ns
  • 上升時間
    2.5 ns

Physical

  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    SMT
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    SOT-23-6

Compliance

  • 無鉛
    無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
庫存量：0
預(yù)計(jì)交期：
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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