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R8002ANX

制造商：Rohm

描述：MOSFET N-CH 800V 2A TO220FM

Datasheet：

在線詢價
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Digikey
    Digikey

器件參數

Function

  • 配置
    Single
  • 連續(xù)漏極電流
    2 A
  • 輸入偏置電容@25V
    210 pF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    4.3 Ω
  • 漏源電壓
    800 V
  • 漏源極擊穿電壓
    800 V
  • 漏源導通電阻@1A,10V
    4.3 Ω
  • 漏源導通電阻
    4.3 Ω
  • 柵源電壓
    30 V
  • 柵源極閾值電壓@1mA
    5 V
  • 柵極電荷@10V
    12.7 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    17 ns
  • 功率耗散
    35 W
  • 關閉延遲時間
    33 ns
  • 下降時間
    70 ns
  • 上升時間
    20 ns

Physical

  • 抗輻射加固
    No
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 安裝方式
    Through Hole
  • 包裝方式
    Bulk
  • 包裝數量
    500
  • 制造商封裝
    TO-220FM

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
庫存量：0
預計交期：
數量
單價
總價(階梯最低數量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

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