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按產(chǎn)品類(lèi)型
更多分類(lèi)

SI7234DP-T1-GE3

制造商：Vishay

描述：MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO-8

Datasheet：

在線詢價(jià)
  • Digikey
    Digikey
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 通道數(shù)量
    2
  • 連續(xù)漏極電流
    60 A
  • 輸入偏置電容
    5 nF
  • 類(lèi)型
    2個(gè)N溝道
  • 漏源電阻
    4 mΩ
  • 漏源電壓
    12 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@4.5V,20A
    3.4 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    3.4 mΩ
  • 柵源電壓
    12 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    1.5 V
  • 柵極電荷@10V
    120 nC
  • 晶體管類(lèi)型
    2個(gè)N溝道(雙)
  • 接通延遲時(shí)間
    30 ns
  • 功率耗散
    46 W
  • 關(guān)閉延遲時(shí)間
    90 ns
  • 元件數(shù)量
    2
  • 下降時(shí)間
    25 ns
  • 上升時(shí)間
    15 ns
  • FET功能
    標(biāo)準(zhǔn)

Physical

  • 重量
    0.01787 oz
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    8
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 包裝數(shù)量
    1
  • 制造商封裝
    PowerPAK-SO-8

Compliance

  • 無(wú)鉛
    Lead Free

Dimension

  • 高度
    1.04 mm
  • 長(zhǎng)度
    4.9 mm
  • 寬度
    5.89 mm
庫(kù)存量：0
預(yù)計(jì)交期：
數(shù)量
單價(jià)
總價(jià)(階梯最低數(shù)量總價(jià))

EDA模型
下載zip

原理圖符號(hào)
封裝
3D模型

替代物料

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