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FDU8586

制造商：ON Semiconductor

描述：N-Channel PowerTrench MOSFET

Datasheet：

在線詢價
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Farnell
    Farnell

器件參數(shù)

Function

  • 額定電流
    35 A
  • 額定電壓
    20 V
  • 閾值電壓
    2.5 V
  • 閘/源截止電壓
    1.6 V
  • 配置
    Single
  • 連續(xù)漏極電流
    35 A
  • 輸入偏置電容@10V
    2.48 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    4 mΩ
  • 漏源電壓
    20 V
  • 漏源極擊穿電壓
    20 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@35A,10V
    5.5 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    5.5 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    2.5 V
  • 柵極電荷@10V
    48 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 功率耗散
    77 W
  • 關(guān)閉延遲時間
    47 ns
  • 下降時間
    25 ns
  • 上升時間
    11 ns

Physical

  • 焊端樣式
    Through Hole
  • 引腳數(shù)
    3
  • 工作溫度@Tj
    175 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    175 °C
  • 安裝方式
    DIP
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 包裝數(shù)量
    75
  • 制造商封裝
    IPAK

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC
庫存量：0
預(yù)計交期：
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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