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按產(chǎn)品類型
更多分類

BSZ12DN20NS3GATMA1

制造商：Infineon

描述：MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON

Datasheet：

在線詢價(jià)
  • Digikey
    Digikey
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 連續(xù)漏極電流
    11.3 A
  • 輸入偏置電容@100V
    680 pF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電壓
    200 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@5.7A,10V
    125 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    125 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@25uA
    4 V
  • 柵極電荷@10V
    8.7 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時(shí)間
    6 ns
  • 功率耗散
    50 W
  • 關(guān)閉延遲時(shí)間
    10 ns
  • 下降時(shí)間
    3 ns
  • 上升時(shí)間
    4 ns

Physical

  • 觸點(diǎn)鍍層
    Tin
  • 引腳數(shù)
    8
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Cut Tape
  • 制造商封裝
    TSDSON-8

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    yes
庫(kù)存量：0
預(yù)計(jì)交期：
數(shù)量
單價(jià)
總價(jià)(階梯最低數(shù)量總價(jià))

EDA模型
下載zip

原理圖符號(hào)
封裝
3D模型

替代物料

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