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按產(chǎn)品類(lèi)型
更多分類(lèi)

IPB180N06S4H1ATMA2

制造商:Infineon

描述:MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Datasheet:

在線詢價(jià)
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Digikey
    Digikey

器件參數(shù)

Function

  • 配置
    Single
  • 通道數(shù)量
    1
  • 連續(xù)漏極電流
    180 A
  • 輸入偏置電容@25V
    21.9 nF
  • 類(lèi)型
    N溝道
  • 漏源電阻
    1.7 mΩ
  • 漏源電壓
    60 V
  • 漏源極擊穿電壓
    60 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@100A,10V
    1.7 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    1.7 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@200uA
    4 V
  • 柵極電荷@10V
    270 nC
  • 晶體管類(lèi)型
    N溝道
  • 接通延遲時(shí)間
    30 ns
  • 功率耗散
    250 W
  • 關(guān)閉延遲時(shí)間
    60 ns

Physical

  • 重量
    0.056438 oz
  • 工作溫度@Tj
    175 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    175 °C
  • 安裝方式
    SMT
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    TO-263-7

Compliance

  • 無(wú)鉛
    無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
  • RoHS
    yes

Dimension

  • 高度
    4.57 mm
  • 長(zhǎng)度
    10.31 mm
  • 寬度
    9.45 mm
庫(kù)存量:0
預(yù)計(jì)交期:
數(shù)量
單價(jià)
總價(jià)(階梯最低數(shù)量總價(jià))

EDA模型
下載zip

原理圖符號(hào)
封裝
3D模型

替代物料

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