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按產(chǎn)品類型
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STP18N65M2

制造商:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO220

Datasheet:

在線詢價
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Digikey
    Digikey

器件參數(shù)

Function

  • 配置
    Single
  • 連續(xù)漏極電流
    12 A
  • 輸入偏置電容@100V
    770 pF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    330 mΩ
  • 漏源電壓
    650 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,6A
    330 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    330 mΩ
  • 柵源電壓
    25 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    4 V
  • 柵極電荷@10V
    20 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    11 ns
  • 功率耗散
    110 W
  • 關(guān)閉延遲時間
    46 ns

Physical

  • 引腳數(shù)
    3
  • 工作溫度
    150 °C
  • 安裝方式
    DIP
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 制造商封裝
    TO-220-3

Compliance

  • 無鉛
    無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

Dimension

  • 高度
    15.75 mm
  • 長度
    10.4 mm
  • 寬度
    4.6 mm
庫存量:0
預(yù)計(jì)交期:
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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