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按產(chǎn)品類型
更多分類

IPB60R099CPATMA1

制造商：Infineon

描述：MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3

Datasheet：

在線詢價(jià)
  • Digikey
    Digikey
  • Future
    Future
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    3.5 V
  • 連續(xù)漏極電流
    31 A
  • 輸入偏置電容@100V
    2.8 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電壓
    600 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@18A,10V
    99 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@1.2mA
    3.5 V
  • 柵極電荷@10V
    80 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時(shí)間
    10 ns
  • 功率耗散
    255 W
  • 關(guān)閉延遲時(shí)間
    60 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 上升時(shí)間
    5 ns

Physical

  • 抗輻射加固
    No
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    TO-263-3-2

Compliance

  • 無鉛
    Y
  • RoHS
    yes
庫存量：0
預(yù)計(jì)交期：
數(shù)量
單價(jià)
總價(jià)(階梯最低數(shù)量總價(jià))

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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