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按產(chǎn)品類型
更多分類

IPB60R380C6ATMA1

制造商:Infineon

描述:MOSFET N-CH 600V 10.6A D2PAK

Datasheet:

在線詢價
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Digikey
    Digikey
  • Future
    Future

器件參數(shù)

Function

  • 連續(xù)漏極電流
    10.6 A
  • 輸入偏置電容@100V
    700 pF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電壓
    600 V
  • 漏源導通電阻@3.8A,10V
    380 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@320uA
    3.5 V
  • 柵極電荷@10V
    32 nC
  • 接通延遲時間
    15 ns
  • 功率耗散
    83 W
  • 關閉延遲時間
    110 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時間
    9 ns
  • 上升時間
    10 ns

Physical

  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 制造商封裝
    TO-263-3

Compliance

  • 無鉛
    Y
  • RoHS
    yes
庫存量:0
預計交期:
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

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