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DMN5L06VAK-7

制造商：Diodes

描述：60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20±V VGS

Datasheet：

在線詢價
  • Future
    Future
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    1 V
  • 配置
    Dual
  • 通道數(shù)量
    2
  • 輸入偏置電容
    50 pF
  • 類型
    2個N溝道
  • 漏源電阻
    2 Ω
  • 漏源電壓
    50 V
  • 漏源極擊穿電壓
    50 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@5V,50mA
    2 Ω
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    2 Ω
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    1 V
  • 晶體管類型
    2個N溝道(雙)
  • 功率耗散
    250 mW
  • 元件數(shù)量
    2
  • FET功能
    邏輯電平門

Physical

  • 重量
    0.000106 oz
  • 觸點鍍層
    Tin
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    6
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    SOT-563

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    600 μm
  • 長度
    1.6 mm
  • 寬度
    1.2 mm
庫存量：0
預(yù)計交期：
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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