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FDS89161

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC

Datasheet：

在線詢價
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  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數

Function

  • 閾值電壓
    3 V
  • 配置
    Dual
  • 連續(xù)漏極電流
    2.7 A
  • 輸入偏置電容
    210 pF
  • 漏源電阻
    105 mΩ
  • 漏源電壓
    100 V
  • 漏源極擊穿電壓
    100 V
  • 漏源導通電阻
    105 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵極電荷
    4.1 nC
  • 晶體管類型
    2個N溝道(雙)
  • 接通延遲時間
    4.2 ns
  • 功率耗散
    3.1 W, 31 W
  • 關閉延遲時間
    7.3 ns
  • 元件數量
    2
  • 下降時間
    1.9 ns
  • 上升時間
    1.3 ns
  • FET功能
    邏輯電平門

Physical

  • 配置
    Dual
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數
    8
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    SO-8

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    Yes
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    1.5 mm
  • 長度
    4 mm
  • 寬度
    5 mm
庫存量：0
預計交期：
數量
單價
總價(階梯最低數量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

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