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DMN6068SE-13

制造商：Diodes

描述：MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223

Datasheet：

在線詢價
  • Digikey
    Digikey
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    3 V
  • 配置
    Single
  • 通道數(shù)量
    1
  • 連續(xù)漏極電流
    4.1 A
  • 輸入偏置電容
    502 pF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    68 mΩ
  • 漏源電壓
    60 V
  • 漏源極擊穿電壓
    60 V
  • 漏源導通電阻@10V,12A
    68 mΩ
  • 漏源導通電阻
    68 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    3 V
  • 柵極電荷
    10.3 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    3.6 ns
  • 反向傳輸電容
    27.1 pF
  • 功率耗散
    2 W
  • 擊穿電壓
    60 V
  • 關閉延遲時間
    11.9 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時間
    8.7 ns
  • 上升時間
    10.8 ns

Physical

  • 重量
    0.000282 oz
  • 觸點鍍層
    Tin
  • 抗輻射加固
    No
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    SOT-223

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • 無鹵素
    Yes
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    1.65 mm
  • 長度
    6.7 mm
  • 寬度
    3.7 mm
庫存量：0
預計交期：
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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