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SQ9945BEY-T1_GE3

制造商:Vishay

描述:MOSFET 2N-CH 60V 5.4A

Datasheet:

在線詢價
  • Digikey
    Digikey
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 連續(xù)漏極電流
    5.4 A
  • 輸入偏置電容
    470 pF
  • 類型
    2個N溝道
  • 漏源電壓
    60 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,3.4A
    64 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    64 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    2.5 V
  • 柵極電荷@10V
    12 nC
  • 晶體管類型
    2個N溝道(雙)
  • 接通延遲時間
    6 ns
  • 功率耗散
    4 W
  • 關(guān)閉延遲時間
    17 ns
  • 下降時間
    1.7 ns
  • 上升時間
    2.8 ns
  • FET功能
    邏輯電平門

Physical

  • 引腳數(shù)
    8
  • 工作溫度
    -55 °C, 175 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    SOIC-8-150mil

Compliance

  • 無鉛
    無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
庫存量:0
預(yù)計交期:
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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