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按產(chǎn)品類型
更多分類

FDMS8622

制造商:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 100V 4.8A/16.5A 8QFN

Datasheet:

在線詢價(jià)
  • Digikey
    Digikey
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 配置
    Single
  • 連續(xù)漏極電流
    4.8 A
  • 輸入偏置電容@50V
    400 pF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    45 mΩ
  • 漏源電壓
    100 V
  • 漏源極擊穿電壓
    100 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,4.8A
    56 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    56 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    4 V
  • 柵極電荷@10V
    7 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時(shí)間
    5.7 ns
  • 功率耗散
    2.5 W, 31 W
  • 關(guān)閉延遲時(shí)間
    10.2 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時(shí)間
    2.1 ns
  • 上升時(shí)間
    1.7 ns

Physical

  • 配置
    Single
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    8
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    PQFN-8(5x6)

Compliance

  • 無(wú)鉛
    無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
  • RoHS
    Yes

Dimension

  • 高度
    1.05 mm
  • 長(zhǎng)度
    5 mm
  • 寬度
    6 mm
庫(kù)存量:0
預(yù)計(jì)交期:
數(shù)量
單價(jià)
總價(jià)(階梯最低數(shù)量總價(jià))

EDA模型
下載zip

原理圖符號(hào)
封裝
3D模型

替代物料

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