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STP42N65M5

制造商：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 650V 33A TO220-3

Datasheet：

在線詢價
  • Digikey
    Digikey
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數

Function

  • 閾值電壓
    4 V
  • 配置
    Single
  • 連續(xù)漏極電流
    33 A
  • 輸入偏置電容@100V
    4.65 nF
  • 類型
    N溝道
  • 等級
    Industrial
  • 漏源電阻
    70 mΩ
  • 漏源電壓
    650 V
  • 漏源極擊穿電壓
    650 V
  • 漏源導通電阻@10V,16.5A
    70 mΩ
  • 漏源導通電阻
    79 mΩ
  • 柵源電壓
    25 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    4 V
  • 柵極電荷@0~10V
    98 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    61 ns
  • 反向傳輸電容@100V
    3.2 pF
  • 功率耗散
    190 W
  • 關閉延遲時間
    65 ns
  • 元件數量
    1
  • 下降時間
    13 ns
  • 上升時間
    24 ns

Physical

  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數
    3
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    Through Hole
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 包裝數量
    50
  • 制造商封裝
    TO-220

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    9.15 mm
  • 長度
    10.4 mm
  • 寬度
    4.6 mm
庫存量：0
預計交期：
數量
單價
總價(階梯最低數量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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