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FDMD8530

制造商:ON Semiconductor

描述:Mosfet Array 30V 35A 2.2W Surface Mount Power56

Datasheet:

在線詢價
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    1.5 V
  • 連續(xù)漏極電流
    35 A
  • 輸入偏置電容
    10.395 nF
  • 類型
    2個N溝道
  • 漏源電壓
    30 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,35A
    1.25 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    1.25 mΩ
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    3 V
  • 柵極電荷
    149 nC
  • 晶體管類型
    2個N溝道(雙)
  • 功率耗散
    2.2 W
  • FET功能
    標(biāo)準(zhǔn)

Physical

  • 引腳數(shù)
    8
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    SMT
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    Power(5x6)

Compliance

  • 無鉛
    無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC
庫存量:0
預(yù)計交期:
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

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