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STU16N65M5

制造商：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 650V 12A IPAK

Datasheet：

在線詢價(jià)
  • Farnell
    Farnell
  • Digikey
    Digikey
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    4 V
  • 配置
    Single
  • 連續(xù)漏極電流
    12 A
  • 輸入偏置電容@100V
    1.25 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    299 mΩ
  • 漏源電壓
    650 V
  • 漏源極擊穿電壓
    650 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@6A,10V
    299 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    299 mΩ
  • 柵源電壓
    25 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    5 V
  • 柵極電荷@10V
    45 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時(shí)間
    25 ns
  • 功率耗散
    90 W
  • 關(guān)閉延遲時(shí)間
    30 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時(shí)間
    7 ns
  • 上升時(shí)間
    9 ns

Physical

  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    3
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 安裝方式
    Through Hole
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 包裝數(shù)量
    75
  • 制造商封裝
    TO-251(IPAK)

Compliance

  • 無鉛
    無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    6.2 mm
  • 長度
    6.6 mm
  • 寬度
    2.4 mm
庫存量：0
預(yù)計(jì)交期：
數(shù)量
單價(jià)
總價(jià)(階梯最低數(shù)量總價(jià))

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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