QS8K13TCR

制造商：Rohm

描述：MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8

Datasheet：

在線詢價

器件參數(shù)

Function

連續(xù)漏極電流

6 A
輸入偏置電容@10V

390 pF
類型

2個N溝道
漏源電壓

30 V
漏源導通電阻@6A,10V

28 mΩ
漏源導通電阻

28 mΩ
柵源極閾值電壓@1mA

2.5 V
柵極電荷@10V

20 nC
晶體管類型

2個N溝道(雙)
功率耗散

550 mW
FET功能

標準

Physical

工作溫度@Tj

150 °C
安裝方式

SMT
包裝方式

Tape and Reel
制造商封裝

TSMT-8

Compliance

無鉛

無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

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