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SIRA60DP-T1-GE3

制造商:Vishay

描述:MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

Datasheet:

在線詢價(jià)
  • Digikey
    Digikey
  • Element14
    Element14
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    2.2 V
  • 連續(xù)漏極電流
    100 A
  • 輸入偏置電容@15V
    7.65 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電壓
    30 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,20A
    0.94 mΩ
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    2.2 V
  • 柵極電荷@4.5V
    60 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 功率耗散
    57 W

Physical

  • 引腳數(shù)
    8
  • 工作溫度
    150 °C
  • 安裝方式
    SMT
  • 制造商封裝
    PowerPAK-SO-8

Compliance

  • 無鉛
    無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC
庫存量:0
預(yù)計(jì)交期:
數(shù)量
單價(jià)
總價(jià)(階梯最低數(shù)量總價(jià))

EDA模型
下載zip

原理圖符號(hào)
封裝
3D模型

替代物料

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