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FDFS6N303

制造商:ON Semiconductor

描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC

Datasheet:

在線詢價
  • Farnell
    Farnell
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 額定電流
    6 A
  • 額定電壓
    30 V
  • 閾值電壓
    1.7 V
  • 連續(xù)漏極電流
    6 A
  • 輸入偏置電容@15V
    350 pF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    35 mΩ
  • 漏源電壓
    30 V
  • 漏源極擊穿電壓
    30 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@6A,10V
    35 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    35 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    3 V
  • 柵極電荷@10V
    17 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 功率耗散
    900 mW
  • 關(guān)閉延遲時間
    13 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時間
    6 ns
  • 上升時間
    12 ns
  • FET功能
    肖特基二極管(隔離式)

Physical

  • 引腳數(shù)
    8
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    SOP-8

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC
庫存量:0
預(yù)計交期:
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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