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按產(chǎn)品類型
更多分類

FDD86367-F085

制造商:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 80V 100A DPAK

Datasheet:

在線詢價
  • Element14
    Element14
  • Digikey
    Digikey
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Future
    Future

器件參數(shù)

Function

  • 連續(xù)漏極電流
    100 A
  • 輸入偏置電容@40V
    4.84 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電壓
    80 V
  • 漏源導通電阻@80A,10V
    4.2 mΩ
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    4 V
  • 柵極電荷@10V
    88 nC
  • 功率耗散
    227 W

Physical

  • 工作溫度@Tj
    175 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    175 °C
  • 制造商封裝
    TO-252

Compliance

  • 無鉛
    Y
  • RoHS
    Yes
庫存量:0
預計交期:
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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