FDMD8260LET60

制造商：ON Semiconductor

描述：Dual N-Channel Power Trench? MOSFET 60V, 5.8mΩ

Datasheet：

在線詢價

器件參數(shù)

Function

連續(xù)漏極電流

15 A
輸入偏置電容

5.245 nF
漏源電壓

60 V
漏源導(dǎo)通電阻

5.8 mΩ
柵極電荷@10V

68 nC
晶體管類型

2 N-Channel(Dual)
功率耗散

1.1 W
FET功能

標(biāo)準(zhǔn)

Physical

配置

Dual
引腳數(shù)

12
工作溫度

-55 °C, 175 °C
安裝方式

SMT
包裝方式

Tape and Reel
制造商封裝

PQFN-12(3.3x5)

Compliance

無鉛

無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
RoHS

Yes

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