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FDN306P

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3

Datasheet：

在線詢價
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Digikey
    Digikey

器件參數

Function

  • 額定電流
    -2.6 A
  • 額定電壓
    -12 V
  • 閾值電壓
    -600 mV
  • 閘/源截止電壓
    -600 mV
  • 配置
    Single
  • 連續(xù)漏極電流
    2.6 A
  • 輸入偏置電容@6V
    1.138 nF
  • 類型
    P溝道
  • 漏源電阻
    40 mΩ
  • 漏源電壓
    12 V
  • 漏源極擊穿電壓
    -12 V
  • 漏源導通電阻@4.5V,2.6A
    40 mΩ
  • 漏源導通電阻
    40 mΩ
  • 柵源電壓
    8 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    1.5 V
  • 柵極電荷@4.5V
    17 nC
  • 晶體管類型
    P溝道
  • 接通延遲時間
    11 ns
  • 反向傳輸電容
    302 pF
  • 功率耗散
    500 mW
  • 擊穿電壓
    12 V
  • 關閉延遲時間
    38 ns
  • 元件數量
    1
  • 下降時間
    10 ns
  • 上升時間
    10 ns

Physical

  • 配置
    Single
  • 觸點鍍層
    Tin
  • 焊端樣式
    SMD
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數
    3
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 包裝數量
    1
  • 制造商封裝
    SOT-23(TO-236)

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    Yes
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    940 μm
  • 長度
    2.92 mm
  • 寬度
    1.4 mm
庫存量：0
預計交期：
數量
單價
總價(階梯最低數量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

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