SIHH24N65E-T1-GE3

制造商：Vishay

描述：MOSFET N-CH 650V 23A PPAK 8 X 8

Datasheet：

在線詢(xún)價(jià)

器件參數(shù)

Function

連續(xù)漏極電流

23 A
輸入偏置電容@100V

2.814 nF
類(lèi)型

N溝道
漏源電壓

650 V
漏源導(dǎo)通電阻@12A,10V

150 mΩ
漏源導(dǎo)通電阻

150 mΩ
柵源極閾值電壓@250uA

4 V
柵極電荷@10V

116 nC
晶體管類(lèi)型

N溝道
功率耗散

202 W

Physical

引腳數(shù)

8
工作溫度@Tj

150 °C
工作溫度(Min)

-55 °C
工作溫度(Max)

150 °C
安裝方式

SMT
包裝方式

Tape and Reel
制造商封裝

PowerPAK(8x8)

Compliance

無(wú)鉛

無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

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器件參數(shù)

Function

Physical

Compliance

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