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ES1D-E3/61T

制造商：Vishay

描述：二極管配置:-;直流反向耐壓(Vr):200V;平均整流電流(Io):1A;正向壓降(Vf):920mV@1A;反向電流(Ir):5uA@200V;

Datasheet：

在線詢價
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 額定電流
    1 A
  • 額定電壓
    200 V
  • 重復(fù)反向電壓
    200 V
  • 配置
    Single
  • 輸出電流
    1 A
  • 浪涌電流
    30 A
  • 正向電流
    1 A
  • 正向電壓@1A
    920 mV
  • 極性
    Standard
  • 最大正向浪涌電流(Ifsm)
    30 A
  • 恢復(fù)時間
    25 ns
  • 平均整流電流
    1 A
  • 峰值非重復(fù)浪涌電流
    30 A
  • 峰值反向電壓
    200 V
  • 容值
    10 pF
  • 反向電壓
    200 V
  • 反向漏電流@200V
    5 μA
  • 反向恢復(fù)時間
    25 ns
  • 二極管配置
    單路

Physical

  • 端子間距
    3.96 mm
  • 焊端樣式
    SMD
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    2
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 包裝數(shù)量
    1
  • 制造商封裝
    SMA(DO-214AC)

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    Unknown

Dimension

  • 高度
    2.09 mm
  • 長度
    4.5 mm
  • 寬度
    2.79 mm
庫存量：0
預(yù)計交期：
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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