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按產(chǎn)品類型
更多分類

IRFBE30PBF

制造商:Vishay

描述:MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB

Datasheet:

在線詢價
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Digikey
    Digikey
  • Future
    Future

器件參數(shù)

Function

  • 額定電流
    4.1 A
  • 額定電壓
    800 V
  • 閾值電壓
    4 V
  • 閘/源截止電壓
    4 V
  • 配置
    Single
  • 通道數(shù)量
    1
  • 連續(xù)漏極電流
    4.1 A
  • 輸入偏置電容@25V
    1.3 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    3 Ω
  • 漏源電壓
    800 V
  • 漏源極擊穿電壓
    800 V
  • 漏源導通電阻@2.5A,10V
    3 Ω
  • 漏源導通電阻
    3 Ω
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    4 V
  • 柵極電荷@10V
    78 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    12 ns
  • 恢復(fù)時間
    720 ns
  • 功率耗散
    125 W
  • 關(guān)閉延遲時間
    82 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時間
    30 ns
  • 上升時間
    33 ns

Physical

  • 重量
    0.211644 oz
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    3
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    Through Hole
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 制造商封裝
    TO-220AB

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    Unknown

Dimension

  • 高度
    9.01 mm
  • 長度
    10.41 mm
  • 寬度
    4.7 mm
庫存量:0
預(yù)計交期:
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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