IPS80R1K4P7AKMA1

制造商：Infineon

描述：MOSFET N-CH 800V 4A TO251-3

Datasheet：

在線詢價

器件參數

Function

連續(xù)漏極電流

4 A
類型

N溝道
漏源電壓

800 V
漏源導通電阻@1.4A,10V

1.4 Ω
漏源導通電阻

1.4 Ω
柵源極閾值電壓@700uA

3.5 V
柵極電荷@10V

10 nC
晶體管類型

N溝道
功率耗散

32 W
FET功能

超級結

Physical

工作溫度@Tj

150 °C
工作溫度(Min)

-55 °C
工作溫度(Max)

150 °C
安裝方式

DIP
包裝方式

Rail/Tube
制造商封裝

TO-251-3-11

Compliance

無鉛

無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范要求
RoHS

yes

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