制造商:HXY MOSFET
描述:該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓(VDSS)和9A的連續(xù)漏極電流(ID),導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為260mΩ,柵源驅(qū)動電壓范圍為-8V至+20V。器件采用碳化硅材料,具備優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性和開關(guān)性能,適用于高效率、高頻率的電源轉(zhuǎn)換場景。其低導(dǎo)通損耗與快速開關(guān)特性有助于提升系統(tǒng)整體能效,適合用于對體積與散熱要求較高的緊湊型電力電子裝置中。
在線詢價