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SPP15N65C3XKSA1-HXY

制造商:HXY MOSFET

描述:該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓(VDSS)和9A的連續(xù)漏極電流(ID),導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為260mΩ,柵源驅(qū)動電壓范圍為-8V至+20V。器件采用碳化硅材料,具備優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性和開關(guān)性能,適用于高效率、高頻率的電源轉(zhuǎn)換場景。其低導(dǎo)通損耗與快速開關(guān)特性有助于提升系統(tǒng)整體能效,適合用于對體積與散熱要求較高的緊湊型電力電子裝置中。

在線詢價

器件參數(shù)

Physical

  • 制造商封裝
    TO-220C
庫存量:0
預(yù)計交期:
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

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