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SIRA20BDP-T1-GE3

制造商:Vishay

描述:MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK

Datasheet:

在線詢價
  • Digikey
    Digikey
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Element14
    Element14

器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    2.1 V
  • 連續(xù)漏極電流
    335 A
  • 輸入偏置電容@15V
    9.95 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電壓
    25 V
  • 漏源導通電阻@20A,10V
    0.58 mΩ
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    2.1 V
  • 柵極電荷@10V
    186 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 功率耗散
    104 W, 6.3 W

Physical

  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    SMT
  • 制造商封裝
    PowerPAK-SO-8
庫存量:0
預計交期:
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

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