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按產(chǎn)品類型
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IRFBE30PBF-BE3

制造商:Vishay

描述:MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB

Datasheet:

在線詢價(jià)
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Digikey
    Digikey

器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    4 V
  • 連續(xù)漏極電流
    4.1 A
  • 輸入偏置電容@25V
    1.3 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電壓
    800 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,2.5A
    3 Ω
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    4 V
  • 柵極電荷@10V
    78 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 功率耗散
    125 W

Physical

  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    DIP
  • 制造商封裝
    TO-220AB

Compliance

  • 無鉛
    Y
庫存量:0
預(yù)計(jì)交期:
數(shù)量
單價(jià)
總價(jià)(階梯最低數(shù)量總價(jià))

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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