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ISL6612BECBZ

制造商:Renesas Electronics

描述:MOSFET DRVR 3A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N EP

Datasheet:

在線詢價
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 驅動配置
    半橋
  • 驅動器數(shù)量
    2
  • 輸出端數(shù)量
    2
  • 輸出電流
    3 A
  • 類型
    N通道 MOSFET
  • 電源電壓
    13.2 V, 7 V
  • 電壓(Min)
    7 V
  • 功率耗散
    2 W
  • 供電電流
    10.5 mA
  • 下降時間
    18 ns
  • 上升時間
    26 ns

Physical

  • 工作溫度
    0 °C, 85 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 包裝數(shù)量
    980
  • 制造商封裝
    SOIC N

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
庫存量:0
預計交期:
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

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