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按產(chǎn)品類型
更多分類

ZXMN3A06DN8TA

制造商：Diodes

描述：MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC

Datasheet：

在線詢價
  • Digikey
    Digikey
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Future
    Future

器件參數(shù)

Function

  • 額定電流
    4.8 A
  • 額定電壓
    30 V
  • 閾值電壓
    1 V
  • 閘/源截止電壓
    1 V
  • 配置
    Dual
  • 通道數(shù)量
    2
  • 連續(xù)漏極電流
    4.9 A
  • 輸入偏置電容
    796 pF
  • 類型
    2個N溝道
  • 漏源電阻
    35 mΩ
  • 漏源電壓
    30 V
  • 漏源極擊穿電壓
    30 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,9A
    35 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    35 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    1 V
  • 柵極電荷@10V
    17.5 nC
  • 晶體管類型
    2個N溝道(雙)
  • 接通延遲時間
    3 ns
  • 導(dǎo)通電阻
    35 mΩ
  • 功率耗散
    2.1 W
  • 關(guān)閉延遲時間
    21.6 ns
  • 元件數(shù)量
    2
  • 下降時間
    9.4 ns
  • 上升時間
    6.4 ns
  • FET功能
    邏輯電平門

Physical

  • 重量
    0.00261 oz
  • 焊端樣式
    SMD
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    8
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 包裝數(shù)量
    1
  • 制造商封裝
    SOP-8

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    1.5 mm
  • 長度
    5 mm
  • 寬度
    4 mm
庫存量：0
預(yù)計交期：
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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