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MJD122G

制造商:ON Semiconductor

描述:Complementary Darlington Power Transistor, 3-Pin DPAK, Pb-Free, Tube

Datasheet:

在線詢價
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 額定電流
    8 A
  • 額定電壓
    100 V
  • 集電極電流
    8 A
  • 集電極截止電流
    10 μA
  • 集電極發(fā)射極飽和電壓@8A,80mA
    4 V
  • 集電極-基極電壓
    100 V
  • 集電極-發(fā)射極電壓
    100 V
  • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
    100 V
  • 配置
    Single
  • 轉(zhuǎn)換頻率
    4 MHz
  • 電流增益 hFE@4V,4A
    1000
  • 特性
    帶預(yù)偏置電阻及保護二極管
  • 極性
    NPN
  • 晶體管類型
    NPN
  • 發(fā)射極 - 基極電壓
    5 V
  • 功率耗散
    20 W
  • 元件數(shù)量
    1

Physical

  • 重量
    10 mlb
  • 觸點鍍層
    Tin
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    3
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -65 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    SMT
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 包裝數(shù)量
    75
  • 制造商封裝
    TO-252-2(DPAK)

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • 無鹵素
    Halogen Free
  • RoHS
    Yes
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    2.38 mm
  • 長度
    6.73 mm
  • 寬度
    6.22 mm
庫存量:0
預(yù)計交期:
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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