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按產(chǎn)品類型
更多分類

STP9NK65ZFP

制造商:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 650V 6.4A TO220FP

Datasheet:

在線詢價(jià)
  • Future
    Future
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Digikey
    Digikey

器件參數(shù)

Function

  • 配置
    Single
  • 連續(xù)漏極電流
    6.4 A
  • 輸入偏置電容
    1.145 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    1.2 Ω
  • 漏源電壓
    650 V
  • 漏源極擊穿電壓
    650 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,3.2A
    1.2 Ω
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    1.2 Ω
  • 柵源電壓
    30 V
  • 柵源極閾值電壓@100uA
    4.5 V
  • 柵極電荷@10V
    41 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時(shí)間
    20 ns
  • 功率耗散
    30 W
  • 關(guān)閉延遲時(shí)間
    45 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時(shí)間
    15 ns
  • 上升時(shí)間
    12 ns

Physical

  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    3
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Through Hole
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 包裝數(shù)量
    50
  • 制造商封裝
    TO-220F-3

Compliance

  • 無(wú)鉛
    無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
庫(kù)存量:0
預(yù)計(jì)交期:
數(shù)量
單價(jià)
總價(jià)(階梯最低數(shù)量總價(jià))

EDA模型
下載zip

原理圖符號(hào)
封裝
3D模型

替代物料

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