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SI4936CDY-T1-E3

制造商:Vishay

描述:MOSFET - 陣列 30V 5.8A 2.3W 表面貼裝型 8-SOIC

Datasheet:

在線詢價(jià)
  • Digikey
    Digikey
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 連續(xù)漏極電流
    5.8 A
  • 輸入偏置電容
    325 pF
  • 漏源電壓
    30 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    40 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵極電荷@10V
    9 nC
  • 晶體管類型
    2個(gè)N溝道(雙)
  • 功率耗散
    2.3 W
  • FET功能
    邏輯電平門

Physical

  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    8
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    SOIC

Compliance

  • 無(wú)鉛
    無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
庫(kù)存量:0
預(yù)計(jì)交期:
數(shù)量
單價(jià)
總價(jià)(階梯最低數(shù)量總價(jià))

EDA模型
下載zip

原理圖符號(hào)
封裝
3D模型

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