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按產(chǎn)品類型
更多分類

SI4100DY-T1-GE3

制造商：Vishay

描述：MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO

Datasheet：

在線詢價(jià)
  • Digikey
    Digikey
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    2 V
  • 配置
    Single
  • 通道數(shù)量
    1
  • 連續(xù)漏極電流
    6.8 A
  • 輸入偏置電容@50V
    600 pF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    63 mΩ
  • 漏源電壓
    100 V
  • 漏源極擊穿電壓
    100 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@4.4A,10V
    63 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    60 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    4.5 V
  • 柵極電荷@10V
    20 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時(shí)間
    10 ns
  • 功率耗散
    2.5 W, 6 W
  • 關(guān)閉延遲時(shí)間
    15 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時(shí)間
    10 ns
  • 上升時(shí)間
    12 ns

Physical

  • 重量
    0.006596 oz
  • 觸點(diǎn)鍍層
    Tin
  • 端子間距
    1.27 mm
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    8
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    SOIC-8

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    Unknown

Dimension

  • 高度
    1.55 mm
  • 長(zhǎng)度
    5 mm
  • 寬度
    4 mm
庫(kù)存量：0
預(yù)計(jì)交期：
數(shù)量
單價(jià)
總價(jià)(階梯最低數(shù)量總價(jià))

EDA模型
下載zip

原理圖符號(hào)
封裝
3D模型

替代物料

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