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按產(chǎn)品類型
更多分類

SI4936CDY-T1-GE3

制造商：Vishay

描述：MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Datasheet：

在線詢價(jià)
  • Digikey
    Digikey
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    3 V
  • 通道數(shù)量
    2
  • 連續(xù)漏極電流
    5.8 A
  • 輸入偏置電容
    325 pF
  • 類型
    2個(gè)N溝道
  • 漏源電阻
    2.8 Ω
  • 漏源電壓
    30 V
  • 漏源極擊穿電壓
    30 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,5A
    40 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    40 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    3 V
  • 柵極電荷@10V
    9 nC
  • 接通延遲時(shí)間
    12 ns
  • 反向傳輸電容
    30 pF
  • 功率耗散
    2.3 W
  • 擊穿電壓
    30 V
  • 關(guān)閉延遲時(shí)間
    16 ns
  • 元件數(shù)量
    2
  • 下降時(shí)間
    13 ns
  • 上升時(shí)間
    13 ns
  • FET功能
    邏輯電平門

Physical

  • 重量
    0.006596 oz
  • 觸點(diǎn)鍍層
    Tin
  • 端子間距
    1.27 mm
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    8
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 包裝數(shù)量
    1
  • 制造商封裝
    SOIC-8

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    Unknown

Dimension

  • 高度
    1.55 mm
  • 長度
    5 mm
  • 寬度
    4 mm
庫存量：0
預(yù)計(jì)交期：
數(shù)量
單價(jià)
總價(jià)(階梯最低數(shù)量總價(jià))

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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