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按產(chǎn)品類型
更多分類

SI7172DP-T1-GE3

制造商：Vishay

描述：MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8

Datasheet：

在線詢價
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Digikey
    Digikey

器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    4 V
  • 通道數(shù)量
    1
  • 連續(xù)漏極電流
    25 A
  • 輸入偏置電容@100V
    2.25 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    70 mΩ
  • 漏源電壓
    200 V
  • 漏源極擊穿電壓
    200 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,5.9A
    70 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    70 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    4 V
  • 柵極電荷@10V
    77 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    15 ns
  • 功率耗散
    5.4 W, 96 W
  • 關(guān)閉延遲時間
    26 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時間
    9 ns
  • 上升時間
    11 ns

Physical

  • 重量
    0.01787 oz
  • 觸點(diǎn)鍍層
    Tin
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    8
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 包裝數(shù)量
    1
  • 制造商封裝
    PowerPAK-SO-8

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    Unknown

Dimension

  • 高度
    1.04 mm
  • 長度
    4.9 mm
  • 寬度
    5.89 mm
庫存量：0
預(yù)計交期：
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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