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SIR182DP-T1-RE3

制造商:Vishay

描述:MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Datasheet:

在線詢價
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Digikey
    Digikey

器件參數(shù)

Function

  • 連續(xù)漏極電流
    60 A
  • 輸入偏置電容
    3.25 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電壓
    60 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,15A
    2.8 mΩ
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    3.6 V
  • 反向傳輸電容
    50 pF
  • 功率耗散
    69.4 W
  • 擊穿電壓
    60 V

Physical

  • 安裝方式
    SMT
  • 包裝方式
    3000pcs
  • 制造商封裝
    PowerPAK-SO-8

Compliance

  • 無鉛
    Yes
  • 無鹵素
    Yes
庫存量:0
預(yù)計交期:
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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