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SIHB21N65EF-GE3

制造商:Vishay

描述:MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK

Datasheet:

在線詢價(jià)
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Element14
    Element14
  • Digikey
    Digikey

器件參數(shù)

Function

  • 連續(xù)漏極電流
    21 A
  • 輸入偏置電容@100V
    2.322 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電壓
    650 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@11A,10V
    180 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    180 mΩ
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    4 V
  • 柵極電荷@10V
    106 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 功率耗散
    208 W

Physical

  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    SMT
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 制造商封裝
    D2PAK(TO-263)

Compliance

  • 無(wú)鉛
    無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
庫(kù)存量:0
預(yù)計(jì)交期:
數(shù)量
單價(jià)
總價(jià)(階梯最低數(shù)量總價(jià))

EDA模型
下載zip

原理圖符號(hào)
封裝
3D模型

替代物料

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