產(chǎn)品
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SiC MOS功率器件測試設(shè)備2026-04-09 10:56
產(chǎn)品型號：HUSTEC-1600A-MT 設(shè)備尺寸：500（寬）x 450（深）x 250（高）mm 質(zhì)量：30kg 海拔高度：海拔不超過 1000m 儲存環(huán)境：-20℃～50℃ 工作環(huán)境：15℃～40℃ -
半導(dǎo)體功率測試設(shè)備2026-04-09 10:50
產(chǎn)品型號：HUSTEC-1600A-MT 設(shè)備尺寸：500（寬）x 450（深）x 250（高）mm 質(zhì)量：30kg 海拔高度：海拔不超過 1000m 儲存環(huán)境：-20℃～50℃ 工作環(huán)境：15℃～40℃ -
SiC功率器件測試機2026-04-09 10:39
產(chǎn)品型號：HUSTEC-1600A-MT 設(shè)備尺寸：500（寬）x 450（深）x 250（高）mm 質(zhì)量：30kg 海拔高度：海拔不超過 1000m 儲存環(huán)境：-20℃～50℃ 工作環(huán)境：15℃～40℃ -
功率器件測試設(shè)備2026-04-09 10:19
產(chǎn)品型號：HUSTEC-1600A-MT 設(shè)備尺寸：500（寬）x 450（深）x 250（高）mm 質(zhì)量：30kg 海拔高度：海拔不超過 1000m 儲存環(huán)境：-20℃～50℃ 工作環(huán)境：15℃～40℃ -
高電壓/大電流IGBT靜態(tài)參數(shù)測試設(shè)備2026-04-09 10:09
產(chǎn)品型號：HUSTEC-1600A-MT 設(shè)備尺寸：500（寬）x 450（深）x 250（高）mm 質(zhì)量：30kg 海拔高度：海拔不超過 1000m 儲存環(huán)境：-20℃～50℃ 工作環(huán)境：15℃～40℃ -
光耦特性曲線測試設(shè)備2026-04-09 10:04
產(chǎn)品型號：HUSTEC-1600A-MT 設(shè)備尺寸：500（寬）x 450（深）x 250（高）mm 質(zhì)量：30kg 海拔高度：海拔不超過 1000m 儲存環(huán)境：-20℃～50℃ 工作環(huán)境：15℃～40℃ -
二極管反向漏電流測試設(shè)備2026-04-08 16:53
產(chǎn)品型號：HUSTEC-1600A-MT 設(shè)備尺寸：500（寬）x 450（深）x 250（高）mm 質(zhì)量：30kg 海拔高度：海拔不超過 1000m 儲存環(huán)境：-20℃～50℃ 工作環(huán)境：15℃～40℃ -
硅基/SiC特性曲線測試設(shè)備2026-04-08 16:23
產(chǎn)品型號：HUSTEC-1600A-MT 設(shè)備尺寸：500（寬）x 450（深）x 250（高）mm 質(zhì)量：30kg 海拔高度：海拔不超過 1000m 儲存環(huán)境：-20℃～50℃ 工作環(huán)境：15℃～40℃ -
功率半導(dǎo)體行業(yè)測試設(shè)備2026-04-08 14:16
產(chǎn)品型號：HUSTEC-1600A-MT 設(shè)備尺寸：500（寬）x 450（深）x 250（高）mm 質(zhì)量：30kg 海拔高度：海拔不超過 1000m 儲存環(huán)境：-20℃～50℃ 工作環(huán)境：15℃～40℃ -
第三代半導(dǎo)體功率器件測試系統(tǒng)2026-04-03 14:32
產(chǎn)品型號：HUSTEC-1600A-MT 設(shè)備尺寸：500（寬）x 450（深）x 250（高）mm 質(zhì)量：30kg 海拔高度：海拔不超過 1000m 儲存環(huán)境：-20℃～50℃ 工作環(huán)境：15℃～40℃