產(chǎn)品
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C3D10065E分立碳化硅肖特基二極管2022-05-31 20:25
產(chǎn)品型號：C3D10065E 重復(fù)峰值反向電壓：650V 浪涌峰值反向電壓：650V 直流阻斷電壓：650V 非重復(fù)峰值正向浪涌電：90-71A 功耗：150-65W -
C6D10065G分立碳化硅肖特基二極管2022-05-31 20:16
產(chǎn)品型號：C6D10065G 重復(fù)峰值反向電壓：650V 直流阻斷電壓：650V 最大持續(xù)電流：10A 總電容電荷：34 nC 功耗：108W -
C6D10065Q分立碳化硅肖特基二極管2022-05-31 20:02
產(chǎn)品型號：C6D10065Q 重復(fù)峰值反向電壓：650V 直流阻斷電壓：650V 電容儲能：5.2µJ 外殼和存儲溫度：-55 to +150°C 最高加工溫度：325°C -
CGH35240F高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-30 11:12
產(chǎn)品型號：CGH35240F 頻率：3.1 – 3.5 GHz 操作 輸出功率：240 W 典型輸出功率 功率增益：11.6 dB 功率增益在 PIN = 42.0 dBm 功率附加效率：57% 的典型功率附加效率 內(nèi)部匹配：50 歐姆內(nèi)部匹配 -
CGH35060P2 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-30 11:03
產(chǎn)品型號：CGH35060P2 頻率：3.1 – 3.5 GHz 操作 峰值功率：60 W 峰值功率能力 增益：12 dB 小信號增益 排水效率：60% 排水效率 -
CGH35060P1 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-30 10:41
產(chǎn)品型號：CGH35060P1 頻率：3.3 – 3.6 GHz 操作 峰值功率：60 W 峰值功率能力 增益：12 dB 小信號增益 8.0 W PAVE：8.0 W PAVE 在 < 2.0% EVM 8 W PAVE：8 W PAVE 時的排水效率為 25% -
CGH35015P 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-30 10:20
產(chǎn)品型號：CGH35015P 頻率：3.3 – 3.9 GHz 操作 峰值功率：15 W 峰值功率能力 增益：12 dB 小信號增益 2.0 W PAVE：2.0 W PAVE 在 < 2.0% EVM 2 W 時效率：平均功率為 2 W 時效率為 26% -
CGH31240F 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-30 10:03
產(chǎn)品型號：CGH31240F 頻率：2.7 – 3.1 GHz 操作 增益：12分貝功率增益 效率：60% 功率附加效率 脈沖幅度：< 0.2 dB 脈沖幅度下降 -
CGH27060F 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-30 09:25
產(chǎn)品型號：CGH27060F 頻率：VHF – 3.0 GHz 操作 增益：14 dB 小信號增益 8.0 W PAVE：8.0 W PAVE 在 < 2.0% EVM 8 W漏極效率：平均功率為 8 W 時的漏極效率為 27% -
C3D08065I分立碳化硅肖特基二極管2022-05-29 21:15
產(chǎn)品型號：C3D08065I 重復(fù)峰值反向電壓：650V 浪涌峰值反向電壓：650V 直流阻斷電壓：650V 重復(fù)峰值正向浪涌電流：19-29A 功耗：23.6-23.2W