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二極管陣列 1 對(duì)共陰極 SiC（Silicon Carbide）Schottky 650 V 30A 1.5 V @ 30 A 無恢復(fù)時(shí)間 > 500mA（Io） 0 ns 200 μA @ 650 V

二極管陣列 2 個(gè)獨(dú)立式 SiC（Silicon Carbide）Schottky 650 V 100A 1.6 V @ 100 A 無恢復(fù)時(shí)間 > 500mA（Io） 0 ns 200 μA @ 650 V

二極管陣列 1 對(duì)共陰極 肖特基 50 V 10A 710 mV @ 10 A 快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io） 100 μA @ 50 V

二極管陣列 1 對(duì)共陰極 肖特基 70 V 700mA 1 V @ 15 mA 小信號(hào) =< 200mA（Io），任意速度 5 ns 100 nA @ 50 V

二極管陣列 1 對(duì)共陰極 肖特基 30 V 15A 720 mV @ 15 A 快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io） 10 μA @ 30 V

二極管陣列 1 對(duì)共陰極 肖特基 100 V 20A 700 mV @ 20 A 快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io） 1.9 mA @ 100 V

二極管陣列 1 對(duì)共陽極 肖特基 30 V 200mA 800 mV @ 100 mA 小信號(hào) =< 200mA（Io），任意速度 5 ns 2 μA @ 25 V

二極管陣列 1 對(duì)共陰極 肖特基 40 V 10A 770 mV @ 10 A 快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io） 5 μA @ 40 V

二極管陣列 1 對(duì)串行連接 標(biāo)準(zhǔn) 2200 V 393A 1.16 V @ 800 A 標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 25 mA @ 2200 V 150°C

二極管陣列 1 對(duì)共陰極 超級(jí)勢(shì)壘 150 V 20A 900 mV @ 20 A 標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 100 μA @ 150 V