
二極管陣列 1 對共陰極 標(biāo)準(zhǔn) 600 V 16A 1.5 V @ 8 A 快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io) 50 ns 10 μA @ 600 V
Vishay
二極管陣列 1 對共陽極 標(biāo)準(zhǔn) 70 V 350mA 1.25 V @ 150 mA 快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io) 6 ns 100 nA @ 70 V
Vishay

二極管陣列 1 對共陽極 標(biāo)準(zhǔn) 100 V 200mA 820 mV @ 10 mA 小信號 =< 200mA(Io),任意速度 4 ns 5 μA @ 75 V
Taiwan Semiconductor

二極管陣列 1 對共陰極 肖特基 170 V 15A 840 mV @ 15 A 快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io) 100 μA @ 170 V
Vishay

二極管陣列 1 對共陰極 SiC(Silicon Carbide)Schottky 1200 V 15A(DC) 1.6 V @ 15 A 無恢復(fù)時間 > 500mA(Io) 0 ns 300 μA @ 1200 V
Rohm

二極管陣列 1 對共陰極 肖特基 30 V 2A 440 mV @ 2 A 快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io) 4 ns 2 mA @ 30 V
Nexperia

二極管陣列 1 對共陰極 肖特基 45 V 7.5A 630 mV @ 7.5 A 快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io) 50 μA @ 45 V
Vishay

二極管陣列 1 對共陰極 標(biāo)準(zhǔn) 200 V 18A 1.15 V @ 20 A 快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io) 25 ns 10 μA @ 200 V
Vishay

