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二極管陣列 2 對(duì)共陰極 肖特基 30 V 200mA 800 mV @ 100 mA 小信號(hào) =< 200mA（Io），任意速度 2 μA @ 25 V

二極管陣列 1 對(duì)共陰極 超級(jí)勢(shì)壘 100 V 10A 690 mV @ 10 A 標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 300 μA @ 100 V

二極管陣列 2 個(gè)獨(dú)立式 SiC（Silicon Carbide）Schottky 650 V 20A 1.55 V @ 20 A 無(wú)恢復(fù)時(shí)間 > 500mA（Io） 0 ns 40 μA @ 650 V

二極管陣列 1 對(duì)共陰極 SiC（Silicon Carbide）Schottky 650 V 30A 1.5 V @ 30 A 無(wú)恢復(fù)時(shí)間 > 500mA（Io） 0 ns 200 μA @ 650 V

二極管陣列

二極管陣列 1 對(duì)共陰極 標(biāo)準(zhǔn) 1200 V 15A 3.3 V @ 15 A 快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io） 77.5 ns 50 μA @ 1200 V

二極管陣列

二極管陣列 1 對(duì)共陽(yáng)極 肖特基 30 V 200mA 800 mV @ 100 mA 小信號(hào) =< 200mA（Io），任意速度 5 ns 2 μA @ 25 V

二極管陣列 1 對(duì)串行連接 標(biāo)準(zhǔn) 200 V 225mA 1.25 V @ 200 mA 快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io） 50 ns 100 nA @ 200 V

二極管陣列 1 對(duì)共陰極 肖特基 100 V 15A 820 mV @ 15 A 快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io） 5 μA @ 100 V