
二極管陣列 1 對共陰極 肖特基 30 V 15A 720 mV @ 15 A 快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io) 10 μA @ 30 V
Rohm

二極管陣列 1 對共陰極 SiC(Silicon Carbide)Schottky 650 V 10A 1.5 V @ 10 A 無恢復(fù)時間 > 500mA(Io) 0 ns 80 μA @ 650 V
Vishay

二極管陣列 1 對共陰極 肖特基 60 V 1A 540 mV @ 1 A 快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io) 40 ns 100 μA @ 60 V
Nexperia

二極管陣列 1 對共陰極 肖特基 150 V 5A 880 mV @ 5 A 快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io) 15 μA @ 150 V
Rohm

二極管陣列 1 對共陰極 肖特基 170 V 3A 900 mV @ 7.5 A 快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io) 50 μA @ 170 V
Vishay

二極管陣列 1 對共陰極 標準 200 V 18A 1.15 V @ 20 A 快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io) 25 ns 10 μA @ 200 V
Vishay

二極管陣列 1 對共陰極 肖特基 150 V 3.7A 1.08 V @ 7.5 A 快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io) 300 μA @ 150 V
Vishay

二極管陣列 1 對共陰極 肖特基 60 V 20A 580 mV @ 20 A 快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io) 3 mA @ 60 V
Vishay

二極管陣列 1 對共陰極 肖特基 40 V 1A 500 mV @ 1 A 快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io) 3.5 ns 55 μA @ 40 V
Nexperia

二極管陣列 1 對共陰極 標準 200 V 4A 1.1 V @ 4 A 快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io) 25 ns 1 μA @ 200 V
Vishay