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二極管陣列 2 個(gè)獨(dú)立式 SiC（Silicon Carbide）Schottky 650 V 20A 1.55 V @ 20 A 無恢復(fù)時(shí)間 > 500mA（Io） 0 ns 40 μA @ 650 V

二極管陣列 1 對(duì)共陰極 標(biāo)準(zhǔn) 600 V 30A 2.1 V @ 30 A 快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io） 41 ns 20 μA @ 600 V

二極管陣列 1 對(duì)共陰極 肖特基 60 V 4.8A 630 mV @ 5 A 快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io） 600 μA @ 60 V

二極管陣列 1 對(duì)共陰極 肖特基 30 V 5A 720 mV @ 5 A 快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io） 3 μA @ 30 V

二極管陣列 1 對(duì)共陰極 肖特基 100 V 10A 870 mV @ 10 A 快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io） 7 μA @ 100 V

二極管陣列 2 個(gè)獨(dú)立式 標(biāo)準(zhǔn) 300 V 250mA 1.1 V @ 100 mA 快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io） 50 ns 150 nA @ 250 V

二極管陣列 1 對(duì)共陰極 肖特基 40 V 5A 550 mV @ 5 A 快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io） 500 μA @ 40 V

二極管陣列 1 對(duì)共陽極 標(biāo)準(zhǔn) 75 V 200mA 1.2 V @ 100 mA 小信號(hào) =< 200mA（Io），任意速度 4 ns 100 nA @ 75 V

二極管陣列 1 對(duì)共陰極 肖特基 45 V 5.4A 600 mV @ 7.5 A 快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io） 350 μA @ 45 V

二極管陣列 1 對(duì)共陰極 肖特基 100 V 30A 790 mV @ 30 A 快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io） 700 μA @ 100 V