
二極管陣列 1 對共陰極 肖特基 90 V 10A 770 mV @ 10 A 快速恢復 =< 500ns,> 200mA(Io) 4.5 μA @ 90 V
Vishay

二極管陣列 1 對共陰極 SiC(Silicon Carbide)Schottky 650 V 20A 1.45 V @ 10 A 快速恢復 =< 500ns,> 200mA(Io) 50 μA @ 650 V
Bourns

二極管陣列 1 對共陰極 標準 100 V 350mA 1.25 V @ 150 mA 快速恢復 =< 500ns,> 200mA(Io) 4 ns 500 nA @ 80 V
Nexperia

二極管陣列 1 對共陰極 肖特基 60 V 1A 540 mV @ 1 A 快速恢復 =< 500ns,> 200mA(Io) 40 ns 100 μA @ 60 V
Nexperia

二極管陣列 1 對共陰極 肖特基 120 V 3.8A 810 mV @ 7.5 A 快速恢復 =< 500ns,> 200mA(Io) 800 μA @ 120 V
Vishay

二極管陣列 1 對共陽極 標準 100 V 200mA 820 mV @ 10 mA 小信號 =< 200mA(Io),任意速度 4 ns 5 μA @ 75 V
Taiwan Semiconductor

二極管陣列 1 對共陰極 肖特基 100 V 10A 930 mV @ 20 A 快速恢復 =< 500ns,> 200mA(Io) 3.5 μA @ 100 V
Vishay

二極管陣列 1 對串行連接 標準 2200 V 393A 1.16 V @ 800 A 標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 25 mA @ 2200 V 150°C
Infineon

