
二極管陣列 1 對共陰極 肖特基 100 V 5A 760 mV @ 5 A 快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io) 3.5 μA @ 100 V
Vishay

二極管陣列 1 對共陰極 肖特基 90 V 10A 750 mV @ 10 A 快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io) 400 μA @ 90 V
Rohm

二極管陣列 1 對共陰極 SiC(Silicon Carbide)Schottky 650 V 20A 1.7 V @ 20 A 無恢復(fù)時間 > 500mA(Io) 0 ns 40 μA @ 650 V
ON Semiconductor

二極管陣列 1 對共陰極 肖特基 30 V 12.5A 490 mV @ 12.5 A 快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io) 900 μA @ 30 V
Vishay

二極管陣列 1 對共陰極 標(biāo)準(zhǔn) 200 V 16A 950 mV @ 8 A 快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io) 35 ns 10 μA @ 200 V
Vishay

二極管陣列 1 對共陰極 肖特基 60 V 30A 660 mV @ 30 A 快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io) 600 μA @ 60 V
Vishay

二極管陣列 1 對共陰極 肖特基 200 V 3A 900 mV @ 7.5 A 快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io) 50 μA @ 200 V
Vishay

二極管陣列 2 個獨(dú)立式 標(biāo)準(zhǔn) 200 V 225mA 1.25 V @ 200 mA 快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io) 50 ns 100 nA @ 200 V
Nexperia