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二極管陣列 1 對共陰極 肖特基 170 V 2.8A 870 mV @ 5 A 快速恢復 =< 500ns,> 200mA(Io) 15 μA @ 170 V
Vishay
二極管陣列 1 對共陰極 標準 200 V 3A 1.1 V @ 3 A 快速恢復 =< 500ns,> 200mA(Io) 23 ns 1 μA @ 200 V
Vishay
二極管陣列 1 對共陰極 肖特基 40 V 10A 550 mV @ 10 A 快速恢復 =< 500ns,> 200mA(Io) 500 μA @ 40 V
Rohm
二極管陣列 1 對共陰極 肖特基 45 V 15A 760 mV @ 30 A 快速恢復 =< 500ns,> 200mA(Io) 1 mA @ 45 V
Vishay
二極管陣列 1 對共陰極 肖特基 200 V 2.8A 870 mV @ 5 A 快速恢復 =< 500ns,> 200mA(Io) 15 μA @ 200 V
Vishay
二極管陣列 1 對共陰極 肖特基 170 V 15A 840 mV @ 15 A 快速恢復 =< 500ns,> 200mA(Io) 100 μA @ 170 V
Vishay
二極管陣列 1 對共陰極 超級勢壘 100 V 15A 800 mV @ 15 A 標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 100 μA @ 100 V
Diodes
二極管陣列 1 對共陰極 肖特基 90 V 7.5A 780 mV @ 7.5 A 快速恢復 =< 500ns,> 200mA(Io) 300 μA @ 90 V
Rohm
二極管陣列 2 個獨立式 SiC(Silicon Carbide)Schottky 1200 V 80A 1.6 V @ 80 A 無恢復時間 > 500mA(Io) 0 ns 240 μA @ 1200 V
Vishay
二極管陣列 1 對共陰極 標準 100 V 175mA(DC) 1.25 V @ 150 mA 小信號 =< 200mA(Io),任意速度 4 ns 500 nA @ 80 V
Nexperia
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